记录深圳每一刻
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位于南山留仙洞的深圳市第三代半导体重点实验室今日举行开放日，首次公开了8英寸氮化镓功率器件中试线的关键工艺数据。实验室主任在现场介绍，采用晶圆级外延批量生长工艺后，7纳米栅长化合物芯片的测试良率由去年的41%提升至62.3%，单颗芯片导通电阻下降至0.85毫欧每平方毫米。
该产线主要面向新能源汽车主驱逆变器、快充桩、数据中心电源三个场景。据介绍，芯片在1200伏耐压等级下通过了168小时高温反偏测试，关键参数一致性达到车规级AEC-Q101标准。产线目前每月可加工8英寸晶圆约1200片，已向17家下游企业送样。
实验室同时发布了配套的外延片检测设备，可在30秒内完成整片晶圆的缺陷扫描，检测精度达到0.1微米，设备售价较进口同类产品低40%。
南山区科创局表示，将在该实验室基础上申报广东省中试平台，2026年计划追加专项经费8000万元，支持碳化硅、氧化镓两个方向的工艺开发。